商品特色
  • 讀取 7400 MB/s
  • 寫入 7000 MB/s
  • Gen4 NVMe技術疾速輸出
  • 美光232層TLC NAND
  • 5 年有限保固
  • 讀取5000MB/s
  • 寫入3600MB/s
  • 採用最新 Gen4 NVMe
  • Micron 3D NAND
  • 5 年有限保固
  • 容量 1TB
  • 讀取速度 11,700MB/s
  • 寫入速度 9,500MB/s
  • TLC NAND創新控制器技術
  • 5年有限保固
  • 讀取 7300 MB/s
  • 寫入 6800 MB/s
  • Gen4 NVMe技術疾速輸出
  • 用232層 TLC NAND
  • 搭載原廠高品質散熱片
  • 循序讀寫3500/3000
  • 真正最快:隨機讀寫速度同級最高
  • 品質最優:整支三星自行設計生產
  • 5年或600TBW有限保固
  • 台灣星睿奇公司貨
商品資訊
賣家
自營
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自營
自營
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運費
運費最低0元
運費最低0元
運費最低0元
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運費80元,滿480免運
優惠
618
618
618
618挑戰低價
618
基本規格
記憶體顆粒
TLC NAND
NAND
其他
TLC NAND
TLC
容量
2TB
1TB
1TB
1TB
1TB
連續寫入速度(MB/s)
7000 MB/s
3600MB/s
9,500 (MB/s)
6800 MB/s
3000 MB/s
適用系統
通用
通用
PC
通用
通用
BSMI許可字號
-
-
-
-
D33475
介面規格
PCI Express, PCI-E, M.2
M.2, PCI-E, PCI Express
M.2
PCI Express, M.2, PCI-E
PCI-E, M.2
隨機寫入速度(IOPS)
1.44M IOPS
-
1,400,000 (IOPS)
1.44M IOPS
-
品牌
Micron美光
Micron美光
Micron美光
Micron美光
SAMSUNG三星
重量(g)
-
-
-
-
最大62g
型號
CT2000T500SSD8
CT1000P3PSSD8
CT1000T700SSD3 (Gen5)
CT1000T500SSD5
MZ-V8V1T0BW
尺寸
M.2
M.2
M.2
M.2
M.2
隨機讀取速度(IOPS)
1.18M IOPS
-
1,350,000 (IOPS)
1.15M IOPS
-
連續讀取速度(MB/s)
7400 MB/s
5000MB/s
11,700 (MB/s)
7300 MB/s
3500 MB/s
保固
五年保固
五年保固
五年保固
五年保固
五年保固